在栅极电压为零(UGS=0)时,即使在漏源(DS)之间施加电压也不会造成P区内载流子的移动,MOSFET处于关断状态。但是在保持漏源(DS)间施加正向电压的前提下,如果在栅极 G 上施加正向电压(UGS>0),就有漏极电流ID,则MOSFET导通。若在栅极上加反向电压(UGS<0),则没有ID电流流过,器件关断。为了克服MOSFET功率小的弱点,场效应管改进结构,成为以后的VDMOSFET器件。
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中级电工培训课程培训内容:电气控制技术、电工与电子基础、维修电工工艺学、内外线电工
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电路结构:Cc1、Lc和 Cc2构成的低通滤波器用来抑制共模干扰信号,其中 Lc称为共模电感,其两组线圈匝数相等,但绕向相反,对差模信号的阻抗为零,而对共模信号产生很大的阻抗。Cd1、Ld和Cd2构成的低通滤波器则用来抑制差模干扰信
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